第266章 制程路线之争 （上）（2 / 3）

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机光源在这个波长上卡了足有小二十年，英特在世纪之交被吐槽成牙膏厂只是光刻机技术停步不前时消费领域产生的一线反应而已。

自九十年代中期开始，科学家和电子产业界提出了各种超越 193nm 的方案，其中包括 157nm F2 激光，电子束投射(EpL)，离子投射(IpL)、EUV(13.5nm)和 x 光，几年的发展之后在世纪之交形成了几大技术阵营。

157nm F2：每家大型光刻公司都在研究，但唯独东洋尼康第一个推出了达到商用标准的产品。

157nm 光会被现有主流193nm机器所用的镜片吸收，光刻胶也要重新研制，所以产线改造难度极大，几乎是另起炉灶的重新再来，而157nm光源对 193nm的波长进步只有不到 25%，研发投入产出比实在太低。

也不知道东洋是幸还是不幸，得益于其国民性的工匠精神死磕波长缩短的尼康属实伟大，第一个解决了困扰世界十来年的光源波长问题。

但可惜的是，彼时华人科学家林本坚博士光刻胶上加水的创意已经把193光源的波长通过折射直接变成137nm未来更把193光源的线宽直接推进到了十纳米以下，直接把尼康投入巨资所研发的技术毫无悬念的送回了老家。

这件事绝对可以载入人类电子产业的发展史，可以说林本坚博士以一己之力直接击沉了东洋电子产业都不为过，要知道尼康研发157nm的光源绝不是一个光源的问题，其配套的镜头、光刻胶、化学制剂、车间电路等等几乎都是全新的，差不多等于把整个晶圆生产线或者电子产业基础全都换了一遍。

得益于东洋强大的电子配套产业实力，围绕着157nm光源，东洋系电子产业链参与进去了无数的大小公司，结果都被一起打折了脊梁，在梁远偷渡之前，东洋广场协议之后，东洋经济之所以失落长达二十年之久，林本坚博士绝对功不可没。

除了憋屈死掉的157光源之外，13.5nm EUV LLc也是梁远偷渡之前人类技术上限中最有可能投入到大规模商业应用中的光源，这个阵营包括英特尔、Amd、摩托罗拉、美国能源部、ASmL、英飞凌、micron等。

1nm接近式 x 光：这个阵营包括ASEt、mitsubishi，、NEc、toshiba，、Ntt、IBm、摩托罗拉，这也是一个被林本坚博士击沉的阵营，由于实验室向来比产业界前沿的缘故，这个阵营起始于八十年末期，采用接近式曝光方式生产，原计划可以作为157光源之后的后补技术登场，到了新世纪虽然没有尼康那般倒霉刚好产品成熟，不过美日两国也各自在这个方向上投入了数十亿美元的巨资，还未问世就已经凉凉也不知道是幸还是不幸。

0.004nm EBdw 或 EpL:朗讯～贝尔实验室、IBm、佳能、尼康，ASmL被邀请加入后又率先退出，这个阵营的学名叫做电子束直写技术，是所有光刻技术阵营中看起来最吊也最浪漫的那个，同样也是光刻技术的物理极限，更是方伟林的主要来意。

尼康在被ASmL击败之后，曾押宝电子束直写技术拼死一搏，可惜这玩意的研发难度堪称电子行业的可控核聚变，直到梁远偷渡那一刻也没听到入坑十年的尼康搞出什么大新闻。

一般来说，科技的前沿以大学为主多从事基础科技研发，基础科技往往领先产业应用十几年甚至上百年的时间，比如爱因斯坦的质能方程和相对论，产业的前沿则是以大学定向实验室和各类企业研究所为主，实验室技术基本就是未来的工业界主流技术，往往领先工业界现有技术

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